1.拉單晶
拉單晶?是從熔體中生長單晶體的工藝，主流為?直拉法?（CZ 法），這是制造半導體硅片的核心技術 。
2. 磨外圓
把不規則硅棒磨削成直徑精準、全長均勻的標準圓柱體。
3. 切片
硅單晶切片，就是把直拉 / 區熔硅單晶棒加工成薄硅片（光伏硅片、半導體晶圓毛坯片）的核心工序，行業簡稱切片（Slicing）。
4. 倒角
晶棒多線切片之后，晶圓側邊形成尖銳直角；晶圓倒角就是利用成型金剛石磨輪，磨削去除晶圓上下表面與側面相交的銳利棱角，把邊緣加工成指定輪廓（R 圓弧型 / T 梯形）。
5. 磨削/研磨
硅晶圓原始厚度：775 μm（300mm 硅片）/625μm（200mm）；前道做完電路之后，需要磨削背面硅基底，把晶圓減薄，滿足封裝散熱、堆疊、超薄芯片需求。
6. CMP拋光
CMP 俗稱化學機械平坦化，是集成電路制造唯一可實現整片晶圓全局平坦化的核心工藝。 多層薄膜沉積、刻蝕后晶圓表面形成高低臺階；如果不做平坦化，光刻景深不足、圖形偏移，造成短路斷路。90nm 及以下先進制程必不可少。
